Anlageschwerpunkt Janus Henderson Horizon Global High Yield Bond Fund - C2 USD ACC

Ziel des Fonds ist die Erwirtschaftung von Erträgen mit dem Potenzial für ein langfristiges Kapitalwachstum. Performanceziel: Outperformance gegenüber dem ICE BofA Global High Yield Constrained Index (100% Hedged) um 1,75% p. a. vor Abzug von Gebühren über einen beliebigen Zeitraum von fünf Jahren. Der Fonds investiert mindestens 80% seines Vermögens in hochverzinsliche Unternehmensanleihen (ohne Investment-GradeRating, entsprechend einem Rating von BB+ oder darunter) aus beliebigen Ländern. Der Fonds kann bis zu 20% seines Nettovermögens in Total Return Swaps anlegen und kann in Pflichtwandelanleihen (CoCo-Bonds) und/oder forderungs- und hypothekenbesicherte Wertpapiere investieren. Der Fonds kann auch in andere Vermögenswerte investieren, darunter Anleihen anderer Art von beliebigen Emittenten (einschließlich Anleihen mit unbegrenzter Laufzeit), Barmittel und Geldmarktinstrumente. Der Anlageverwalter kann Derivate (komplexe Finanzinstrumente), einschließlich Total Return Swaps, einsetzen, um im Einklang mit dem Anlageziel des Fonds Anlagegewinne zu erzielen, das Risiko zu verringern oder den Fonds effizienter zu verwalten. Der Fonds wird aktiv unter Bezugnahme auf den ICE BofA Global High Yield Constrained Index (100% Hedged) verwaltet, der weitgehend repräsentativ für die Anleihen ist, in die er investieren darf, da dieser die Grundlage für das Performanceziel des Fonds darstellt. Der Anlageverwalter kann nach eigenem Ermessen Anlagen für den Fonds auswählen, deren Gewichtungen sich von denen im Index unterscheiden oder die nicht im Index vertreten sind. Der Fonds kann jedoch zeitweise Anlagen halten, die dem Index entsprechen. Der Anlageverwalter ist bestrebt, bei der Verwaltung des Fonds ökologische, soziale und/oder die Unternehmensführung betreffende Grundsätze (ESG) zu fördern, was den Ausschluss von Emittenten beinhalten kann, die nach Ansicht des Anlageverwalters zu erheblichen ESG-Schäden beitragen könnten, wie im Prospekt näher beschrieben